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Radiocomunicación

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

SYSCOM IRF9Z30

$ 25.000

Precio con IVA incluido

FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

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$ 25.000

Descripción detallada

Para qué sirve

Se utiliza en analizadores de baterías.
Instalado en laboratorios de radiocomunicación.
Ideal para proyectos de electrónica avanzada.

Por qué elegirlo

El transistor permite controlar la corriente de manera eficiente, optimizando el rendimiento de tus dispositivos. Reduce el riesgo de sobrecalentamiento y mejora la estabilidad en el funcionamiento.

¿Dónde se instala?

En analizadores de baterías para mediciones precisas.
En equipos de laboratorio para pruebas eléctricas.
En sistemas de radiocomunicación para mejorar la señal.

50 V
Voltaje de drenaje a fuente: 18 A
Corriente continua de drenaje: 0.14 Ohm
Resistencia en estado ON: 74 W
Potencia de disipación máxima: -55 °C a 150 °C
Temperatura de operación

Especificaciones

FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Base Product Number: IRF9Z30

FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Base Product Number: IRF9Z30

Dimensiones y peso

Dimensiones (largo × ancho × alto): 15 × 11 × 4 cm
Peso: 0.01 kg
Unidad de venta: Pieza

Tamaño real

Preguntas frecuentes

¿Qué tipo de transistor es?

Es un transistor MOSFET de canal P.

Descargas

IRF9Z30Manual SIHF9Z30Manual

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